光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，在全球高科技产业中扮演着重要角色。但一直以来，中高端光刻机都被外国所垄断，再加上最近美日荷三方达成的出口协议，限制了中国进口光刻机的途径，这对中国科技企业来说无疑是一个巨大挑战。
不过，近年来依托产业发展和政策支持，中国厂商在光刻机领域取得了快速发展。
据新华网7月31日消息，上海微电子正致力于研发28nm浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前，国家知识产权局公布了一项来自华为公司的新专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”，在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展。
【资料图】
这些成绩与成果都有助于加快推进28nm、14nm、7nm，甚至更低节点的光刻机研发工作。
▲相关新闻报道
据官网介绍，上海微电子装备（集团）股份有限公司（简称SMEE）成立于2002年，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务；公司设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。
此前，上海微电子曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。而21ic家也发现，上海微电子官网的“公司动态”最后更新时间为2021年9月18日。
因此，有关“上海微电子即将交付28nm光刻机”一事，我们无从考证。不过，该消息既然来自新华网，可信度应该还是比较高的。
▲上海微电子“公司动态”
上述报道指出，目前上海微电子已可量产90nm分辨率的SSX600系列光刻机，28nm分辨率的光刻机也有望取得突破。
虽然这与当今国际顶尖的7nm，乃至是5nm光刻机还有数代的隔阂，但28nm仍然是当下半导体制造的主流工艺。
据悉，上海微电子现有4大系列的光刻机产品。其中，600系列步进扫描投影光刻机面向IC前道制造，采用4倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可用于90nm、110nm、280nm工艺和200mm、300mm晶圆生产；500系列面向IC后道先进封装；300系列面向LED、MEMS、功率器件制造；200系列面向TFT曝光。
▲上海微电子光刻机产品
围绕产业链上下游，除了前面提到的华为“反射镜、光刻装置及其控制方法”专利之外，其超导量子芯片专利技术同样值得一提。该技术大幅提升了量子芯片的良率，并且已经超过了英特尔。
同时，本源量子也已研发出中国首个自主研发的超导量子计算机本源悟源；而华中科技大学研制的OPC系统、哈尔滨工业大学研制的镭射干涉系统等也各自有所突破。
不难看出，这些年中国工业界用举国之力发展半导体产业，我国正以“中国速度”追赶着，并且差距已经开始缩小。可以预见，随着产业链上下游企业的共同努力，未来我国光刻机研究肯定还会取得更大的进步。相信在不久的将来，中国光刻机将会达到世界先进水平。
关键词：
营业执照公示信息