PCSEL的工艺流程

来源:拓扑态与光电子器件  发布时间:2023-05-22 14:16:31 


(资料图)

PCSEL的工艺流程比较简洁,但也存在难点。

根据参考文献,可以将工艺流程分为以下几步:

设计外延片参数,第一次外延,制备光子晶体,第二次外延,制备台面和电极。

设计外延片参数:自己完成外延片参数设计。

第一次外延:激光器的外延技术比较成熟,所以有很多商业公司可以提供该步工艺服务,或者自己有设备自己完成该步工艺。

制备光子晶体:PCSEL中的光子晶体周期和小孔直径,一般在几十纳米到几百纳米,这个尺度需要EBL加工。EBL加工技术也比较成熟,有很多商业公司可以提供该步工艺服务,或者自己有设备自己完成该步工艺。该步工艺可以细分为以下几步流程:

第二次外延:该步工艺是难点,也是研究工艺中的重点,外延过程中需要保留气孔,可以算是PCSEL的专用工艺。目前应该很少有商业公司能够提供该工艺服务,一般需要自己摸索该工艺,所以要么自己有设备自己摸索该工艺,要么租用别人的设备自己摸索该工艺。目前,也有很多该工艺的文献[1][2]。

制备台面和电极:该步工艺也比较成熟,有很多商业公司可以提供该步工艺服务,或者自己有设备自己完成该步工艺。该步工艺可以细分为以下几步流程:

关键词:

PCSEL的工艺流程

设计外延片参数,第一次外延,制备光子晶体,第二次外延,制备台面和电极。更多

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